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W79E8213系列芯片包括一个8位的4吨- 8051具有闪存EPROM微控制器是可编程的ICP（在电路程序）或硬件作家。该指令集的W79E8213系列完全兼容标准的8052。该系列包含W79E8213主要闪存EPROM的一个4K字节;一个128字节的RAM，两个16位定时器/计数器，4通道10位PWM，3边缘检测器输入，8通道多路10位A / D转换。该W79E8213系列支持128字节的NVM数据Flash EPROM中。这些外设都支持10来源4级中断能力。为方便编程和验证，内W79E8213系列闪存EPROM允许程序存储器进行编程和读取电子。一旦代码确定后，用户可以保障安全的代码。
W79E8213系列单片机的主要特性：
全静态设计的8位4吨，8051的CMOS微控制器：
- 电压Vdd = 4.5V至5.5V @ 20MHz的
- 电压Vdd = 2.7V至5.5V @ 12MHz的
- 电压Vdd = 2.4V至5.5V @ 4MHz的
指令与海安- 51兼容。
灵活的CPU时钟源可配置的配置位和软件：
- 高速外部振荡器：20MHz的晶体谐振器upto（由配置位启用）。
- 内部RC振荡器：由配置位20/10MHz可选，只有W79E8213R支持？02％的准确度的内部固定电压和温度条件下RC振荡器。
4K字节的AP Flash EPROM中的ICP和外部作家，可编程模式。
128片内RAM字节。
W79E8213系列支持128个字节用于存储客户数据和10K作家周期的NVM数据Flash EPROM中。
- 8页。页面大小是16字节。
2个16位定时器/计数器。
10个中断源4个优先级。
三边缘检测中断输入。
可编程看门狗定时器。
四通道10位PWM（脉宽调制器）。
内部的蜂鸣器方波发生器。
最多18个I / O引脚。
这4个输出模式和TTL /施密特触发器可选端口。
LED驱动能力（20mA的）所有端口引脚。欣克20mA的;车道：-15?- 20mA的@推挽模式。
8个高汇能力（四十○毫安）端口引脚。
8通道复用10位的A / D转换。
低电压检测和复位的中断。
开发工具：
- 电感耦合等离子体（在电路编程）
基于W79E8213单片机的以上特点，斯曼迪深圳芯片解密中心能在短时间内为您完成W79E8213芯片解密等WINBOND单片机解密服务。如果您有W79E8213单片机解密或其他WINBOND单片机解密需求，欢迎来电来访咨询洽谈。联系电话：0755-25895856。
