针对SST39VF1601单片机解密等SST芯片解密,斯曼迪深圳芯片解密中心已取得成功,现面向国内外客户提供价格优惠的SST39VF1601芯片解密等SST芯片解密。
1、SST39VF1601的概述
该SST39VF1601设备为1M和2M X16的X16的,分别的CMOS多功能闪存加(强积金+)与SST公司的专利,高性能CMOS SuperFlash技术制造。分体式电池设计和厚栅氧化层隧道喷射达到更好的可靠性和可制造性与替代方法。该SST39VF1601写(编程或擦除)用2.7 - 3.6V的电源。该装置符合JEDEC标准接脚为X16的回忆。
2、SST39VF1601的特点
•组织结构为:1MX16:SST39VF1601/1602; 2MX16:SST39VF3201/3202
•单电压读写操作
- 2.7 - 3.6
•卓越的可靠性
- 耐力:100,000周期(典型)
- 大于100年数据保存期
•低功耗(典型值在5 MHz)
- 工作电流:10 mA(典型值)
- 待机电流:3μA(典型值)
- 自动低功耗模式:3μA(典型值)
•硬件Block-Protection/WP#输入引脚
- 顶块保护(前32名KWord)为SST39VF1602/3202
- 底块保护(底部32 KWord)为SST39VF1601/3201
•扇区擦除功能
- 制服2 KWord部门
•块擦除功能
- 制服32 KWord块
•芯片擦除功能
•Erase-Suspend/Erase-Resume能力
•硬件复位管脚(RST#)
•安全- ID功能
- 海温:128位;用户:128位
•快速读取时间:
- 70纳秒
•锁存地址和数据
•快速擦除和字程序:
- 扇区擦除时间:18毫秒(典型)
- 块擦除时间:18毫秒(典型)
- 芯片擦除时间:40毫秒(典型)
- Word的节目时间:7μs(典型值)
•自动写时序
- 内部VPP的代
•终了写检测
- 切换位
- 数据#投票
•的CMOS I / O兼容性
•JEDEC标准
- 闪存EEPROM管脚和命令集
•封装
- 48引脚的TSOP(12毫米x 20毫米)
- 48球TFBGA封装(6 × 8毫米)
•所有非铅(无铅)器件均符合RoHS标准
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