GAL22V10芯片解密,LATTICE PLD芯片解密

分类:LATTICE单片机破解 | 发布:2010-11-11 17:41:30

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GAL22V10的器件包括：GAL22V10A, GAL22V10B, GAL22V10C, GAL22V10D(GAL22V10D-7LP, GAL22V10D-7LPN, GAL22V10D-10LP, GAL22V10D-10LPN, GAL22V10D-15LP, GAL22V10D-15LPN, GAL22V10D-25LP, GAL22V10D-25LPN, GAL22V10D-7LPI, GAL22V10D-7LPNI, GAL22V10D-10LPI, GAL22V10D-10LPNI, GAL22V10D-15LPI, GAL22V10D-15LPNI, GAL22V10D-20LPI, GAL22V10D-20LPNI, GAL22V10D-25LPI, GAL22V10D-25LPNI, GAL22V10D-10QP, GAL22V10D-10QPN, GAL22V10D-15QP, GAL22V10D-15QPN, GAL22V10D-25QP, GAL22V10D-25QPN, GAL22V10D-10LS, GAL22V10D-15LS, GAL22V10D-25LS, GAL22V10D-4LJ, GAL22V10D-4LJN, GAL22V10D-5LJ, GAL22V10D-5LJN, GAL22V10D-7LJ, GAL22V10D-7LJN, GAL22V10D-10LJ, GAL22V10D-10LJN, GAL22V10D-15LJ, GAL22V10D-15LJN, GAL22V10B-25LJ, GAL22V10B-25LJN, GAL22V10D-7LJI, GAL22V10D-7LJNI, GAL22V10D-10LJI, GAL22V10D-10LJNI, GAL22V10D-15LJI, GAL22V10D-15LJNI, GAL22V10D-20LJI, GAL22V10D-20LJNI, GAL22V10D-25LJI, GAL22V10D-25LJNI, GAL22V10D-10QJ, GAL22V10D-10QJN, GAL22V10D-15QJ, GAL22V10D-15QJN, GAL22V10D-25QJ, GAL22V10D-25QJN)。

在3.5纳秒GAL22V10，最大传输延迟时间，结合一种高性能的CMOS工艺与电可擦除（E2）的浮动门技术，提供最高速度表现在PLD市场。高速擦除时间“（<100毫秒）允许器件重新编程速度和效率。通用的架构提供了最大的设计灵活性使输出逻辑宏单元（OLMC）来进行配置用户。许多建筑的一个重要子集配置与GAL22V10可能是PAL制式架构上市在宏的描述节表。 GAL22V10器件这些都是PAL制式模拟架构与任何有能力充分功能/熔丝图/参数的兼容性。独特的测试电路和可重复编程的细胞允许完整的交流，直流电，在制造过程中的功能测试。因此，格安森美半导体提供100％的现场可编程和功能所有GAL产品。此外，100擦除/写周期，数据保存20年以上指定。
GAL22V10 PLD器件的特性：
•高性能E2CMOS ®技术
- 4ns的最大传输延迟
-Fmax = 250MHZ
- 3.5 ns的最大时钟输入到数据输出
- UltraMOS ®技术先进的CMOS
•50％至75％，减少权力从两极
- 对低功率器件75mA的典型电流Icc
- 上一季度电力设备四五毫安典型电流Icc
•主动上拉对所有引脚
•E2的电池技术
- 可重构逻辑
- 细胞重新编程
- 100％Tested/100％的产率
- 高速电擦除“（<100毫秒）
- 20年的数据保存
•八个输出逻辑宏单元
- 最大的复杂逻辑设计的灵活性
- 可编程输出极性
- 兼C仿真20针PAL制式®器件具有完全功能/熔丝图/参数兼容性
•预载和上电复位所有寄存器
- 100％的功能可测性
•应用程序包括：
- DMA控制
- 状态机控制
- 高速图形处理
- 标准逻辑速度升级
•电子签名鉴定
•无铅封装选择