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GAL16V8的器件包括：GAL16V8A, GAL16V8B, GAL16V8C(GAL16V8C-5LP, AL16V8C-7LP), GAL16V8D(GAL16V8D-7LP, GAL16V8D-7LPN, GAL16V8D10LP, GAL16V8D-10LPN, GAL16V8D-15LP, GAL16V8D-15LPN, GAL16V8D-25LP, GAL16V8D-25LPN , GAL16V8D-7LPI, GAL16V8D-7LPNI, GAL16V8D-10LPI, GAL16V8D-10LPNI, GAL16V8D-15LPI, GAL16V8D-15LPNI, GAL16V8D-25LPI, GAL16V8D-25LPNI, GAL16V8D-10QP, GAL16V8D-10QP N, GAL16V8D-15QP, GAL16V8D-15QP N, GAL16V8D-25QP, GAL16V8D-25QP N, GAL16V8D-20QPI, GAL16V8D-20QP NI, GAL16V8D-25QPI, GAL16V8D-25QP NI, GAL16V8D-3LJ, GAL16V8D-LJN, GAL16V8D—5LJ, GAL16V8D—5LJN)。

在3.5纳秒GAL16V8，最大传输延迟时间，结合一种高性能的CMOS工艺与电可擦除（E2）的浮动门技术，提供最高速度表现在PLD市场。高速擦除时间“（<100毫秒）允许器件重新编程速度和效率。通用的架构提供了最大的设计灵活性使输出逻辑宏单元（OLMC）来进行配置用户。许多建筑的一个重要子集配置与GAL16V8可能是PAL制式架构上市在宏的描述节表。 GAL16V8器件这些都是PAL制式模拟架构与任何有能力充分功能/熔丝图/参数的兼容性。独特的测试电路和可重复编程的细胞允许完整的交流，直流电，在制造过程中的功能测试。因此，格安森美半导体提供100％的现场可编程和功能所有GAL产品。此外，100擦除/写周期，数据保存20年以上指定。
GAL16V8 PLD器件的特性：
•高性能E2CMOS ®技术
- 3.5 ns的最大传输延迟
- 250兆赫的Fmax =
- 3.0 ns的最大时钟输入到数据输出
- UltraMOS ®技术先进的CMOS
•50％至75％，减少权力从两极
- 对低功率器件75mA的典型电流Icc
- 上一季度电力设备四五毫安典型电流Icc
•主动上拉对所有引脚
•E2的电池技术
- 可重构逻辑
- 细胞重新编程
- 100％Tested/100％的产率
- 高速电擦除“（<100毫秒）
- 20年的数据保存
•八个输出逻辑宏单元
- 最大的复杂逻辑设计的灵活性
- 可编程输出极性
- 兼C仿真20针PAL制式®器件具有完全功能/熔丝图/参数兼容性
•预载和上电复位所有寄存器
- 100％的功能可测性
•应用程序包括：
- DMA控制
- 状态机控制
- 高速图形处理
- 标准逻辑速度升级
•电子签名鉴定
•无铅封装选择

基于GAL16V8的以上特性，我们目前已经成功完成GAL16V8芯片解密，更多可解密LATTICE PLD芯片解密型号不断更新中，如果您有LATTICE芯片解密及CPLD芯片解密需求，欢迎来电来访咨询洽谈。24小时热线电话：0755-25898681。